高低温真空腔探针系统主要用于为被测芯片提供一个低温或者高温的变温测量环境，以便测量分析温度变化时芯片性能参数的变化。

腔体内被测芯片在真空环境中有效避免易受氧化半导体器件接触空气所带来的测试结果误差

因为晶圆在低温大气环境测试时，空气中的水汽会凝结在晶圆上，会导致漏电过大或者探针无法接触电极而使测试失败。

避免这些需要把真空腔内的水汽在测试前用泵抽走，并且保持整个测试过程泵的运转；

当晶圆加热至300℃,400℃,500℃甚至更高温度时，氧化现象会越来越明显，并且温度越高氧化越严重。

过度氧化会导致晶圆电性误差，物理和机械形变。

晶圆测试过程中温度在低温和高温中变换，因为热胀冷缩现象，定位好的探针与器件电极间会有相对位移，这时需要针座的重新定位，探针座位于腔体外部，可以在不破坏真空度的同时调整探针达到理想位置进行测量

我们也可以选择使用操作杆控制的自动化针座来调整探针的位置

最高可达300℃

温控精度±1℃

温度均匀性±3℃

高温真空腔探针台系统主要用于为被测芯片提供一个高温的变温测量环境，以便测量分析温度变化时芯片性能参数的变化

腔体内被测芯片在真空环境中有效避免易受氧化半导体器件接触空气所带来的测试结果误差

我们也可以选择使用操作杆控制的自动化针座来调整探针的位置

整体高集成，高稳定性，高漏电精度，高性价比！

创谱仪器可以根据客户应用搭建探针台，以达到更好得使用效果和性价比！