背照式技术，采用背照式硅CCD探测芯片，避免了探测器表面氧化层对紫外光的吸收，深紫外量子化效率高达70%

低杂散技术，采用对称交叉C-T光路设计，内部喷涂航天级高吸光材料，有效抑制杂散光形成

全谱段技术，采用专利EX闪耀光栅和渐变消高阶滤光片技术，解决了宽谱段效率均衡与高阶干扰的问题，最宽谱段覆盖范围达200-1100nm

适用于需要弱光光谱检测及紫外光谱分析的领域，如科学研究、荧光光谱分析、吸收光谱分析、深紫外光谱分析等